perc电池制程详解-尊龙凯时官网

　　绒面结构（surface structure）

　　原理：采用三氯氧磷（pocl3）液态源扩散方法，在硅片表面形成n型层；

　　principle：pocl3  liquid diffusion, forming n type si on surface;

　　目的：形成pn结（太阳电池核心单元）；

　　purpose： forming pn junction;

　　化学反应式（chemical equation） ：5pocl3→3pcl5 p2o5（high t）2p2o5 5si→5sio2 4p↓

　　原理：采用激光，在硅片表面形成局域重掺杂n型层；

　　principle：use laser to form heavy n type si （local） on surface;

　　目的：形成局域重掺杂n型层；

　　purpose： forming heavy n type si （local） on surface;

　　原理：实现硅片的单面腐蚀；

　　principle： single side etch of silicon wafer;

　　目的：pn结边缘隔离和背面抛光；

　　purpose： isolation of pn junction and polishing.

　　化学反应式（chemical equation） ：si 4hno3 → sio2 4no2↑ 2h2o    sio2 4hf → sif4↑ 2h2o    sif4 2hf → h2sif6

　　原理：在表面生长sio2钝化膜；

　　principle：grow  sio2 film on surface;

　　目的：提升开路电压,提升效率。

　　purpose： increase voc, improve efficiency.

　　化学反应式（chemical equation） ：

　　si o2 → sio2

　　原理：pecvd沉积alox sinx薄膜；

　　principle： pecvd deposition of alox sinx thin film;

　　目的：制备背面钝化介质层；

　　purpose： rear side alox/sinx dielectric layer. 

　　工艺流程（process  flow）：

　　pecvd/arc原理：pecvd沉积sinx减反射膜；

　　principle： pecvd deposition of anti-reflective coating;

　　目的：表面钝化和降低反射率；

　　purpose： surface passivation and reduce reflection.

　　原理：激光消融背面介质层；

　　principle： laser ablation of dielectric layer；

　　目的：形成局域背场接触，收集电流；

　　purpose：forming local bsf（back surface filed) to collect current.

　　丝网印刷&烧结（screen printing& co-firing）：

　　perc电池需使用专用银铝浆料，使电池性能达到最优。

　　perc cell use special ag&al paste，for optimum of cell performance.

　　原理：电注入或光注入载流子，改变h的带电状态，提高对缺陷的钝化效果

　　principle：

　　目的：提升效率，降低衰减

　　purpose：decrease lid.

　　刻蚀/碱抛：

　　原理：

　　酸槽刻蚀：利用hno3和hf的混合液体对扩散后硅片背面及边缘进行刻蚀抛光

　　碱槽刻蚀：扩散后硅片用hf溶液去除硅片背面氧化层，然后浸泡在无机碱（koh/naoh）的混合液体中，对背面及边缘进行刻蚀抛光

　　目的：pn结边缘隔离和背面抛光

　　化学反应式（chemical equation） ：

　　刻蚀：si 4hno3 → sio2 4no2↑ 2h2o    sio2 4hf → sif4↑ 2h2o    sif4 2hf → h2sif6

　　去psg；sio2 4hf → sif4↑ 2h2o 

碱抛;2naoh si h2o=na2sio3 2h2，na2sio3 3h2o=h4sio4 2naoh，h4sio4=h2sio3(偏硅酸) h2o，h2sio3 2naoh === na2sio3 2h2o，h2sio3 naoh=nahsio3 h2o