perc电池制程详解-尊龙凯时官网
2019-08-17 12:36
原理：一定浓度、一定温度条件下，碱溶液与硅片反应，各向异性腐蚀；
principle：etching silicon in anisotropic koh solution;
目的：去除表面损伤层，降低表面反射率；
purpose：saw damage remove and reduce surface reflection;
化学反应式（chemical equation）：si 2koh h2o → k2sio3 2h2↑
绒面结构（surface structure）
原理：采用三氯氧磷（pocl3）液态源扩散方法，在硅片表面形成n型层；
principle：pocl3 liquid diffusion, forming n type si on surface;
目的：形成pn结（太阳电池核心单元）；
purpose： forming pn junction;
化学反应式（chemical equation） ：5pocl3→3pcl5 p2o5（high t）2p2o5 5si→5sio2 4p↓
原理：采用激光，在硅片表面形成局域重掺杂n型层；
principle：use laser to form heavy n type si （local） on surface;
目的：形成局域重掺杂n型层；
purpose： forming heavy n type si （local） on surface;
原理：实现硅片的单面腐蚀；
principle： single side etch of silicon wafer;
目的：pn结边缘隔离和背面抛光；
purpose： isolation of pn junction and polishing.
化学反应式（chemical equation） ：si 4hno3 → sio2 4no2↑ 2h2o sio2 4hf → sif4↑ 2h2o sif4 2hf → h2sif6
原理：在表面生长sio2钝化膜；
principle：grow sio2 film on surface;
目的：提升开路电压,提升效率。
purpose： increase voc, improve efficiency.
化学反应式（chemical equation） ：
si o2 → sio2
原理：pecvd沉积alox sinx薄膜；
principle： pecvd deposition of alox sinx thin film;
目的：制备背面钝化介质层；
purpose： rear side alox/sinx dielectric layer.
工艺流程（process flow）：
pecvd/arc原理：pecvd沉积sinx减反射膜；
principle： pecvd deposition of anti-reflective coating;
目的：表面钝化和降低反射率；
purpose： surface passivation and reduce reflection.
原理：激光消融背面介质层；
principle： laser ablation of dielectric layer；
目的：形成局域背场接触，收集电流；
purpose：forming local bsf（back surface filed) to collect current.
丝网印刷&烧结（screen printing& co-firing）：
perc电池需使用专用银铝浆料，使电池性能达到最优。
perc cell use special ag&al paste，for optimum of cell performance.
原理：
principle：
目的：降低光衰减；
purpose：decrease lid.
